半导体装置之制造方法，基板处理方法，基板处理装置及记录媒体

摘要

本发明之课题在于在低温区域内一面抑制异物之产生一面形成优质之薄膜。;本发明包括以下步骤：形成薄膜之步骤，系将如下之循环进行既定次数，该循环包含对处理容器内之基板供给包含既定元素与卤族元素之原料气体之步骤、及对处理容器内之基板供给胺系气体之步骤，藉此于基板上形成至少包含既定元素及碳之薄膜；以及改质步骤，系藉由对薄膜形成后之处理容器内供给氮化气体，而对附着于处理容器内之副产物进行改质。