磊晶矽晶圆及磊晶矽晶圆的制造方法;EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILCON WAFER

摘要

本发明的磊晶矽晶圆的制造方法包括在矽晶圆的表面使磊晶膜成长的磊晶膜成长步骤(步骤S3)、及将磊晶矽晶圆的温度自使磊晶膜成长时的温度降低的降温步骤(步骤S4)，并且降温步骤中，以磊晶膜中的除该磊晶膜的表面以外的位置的氧浓度成为2.5×10 16 atoms/cm 3 以上的方式控制磊晶矽晶圆的降温速度。