| 摘要 |
<p>기판 위에 반도체 소자를 설치한 후에 상기 기판을 박막화 또는 제거한 경우에도, 외부에서의 불순물원소나 수분 등의 침입에 의한 반도체 소자에의 영향을 억제하는 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판에 표면처리를 행해 기판의 한쪽 면에 보호막의 기능을 하는 절연막을 형성하고, 절연막 위에 박막 트랜지스터 등의 반도체 소자를 형성하고, 기판을 박막화하는 것을 특징으로 한다. 표면처리로는, 기판에 불순물원소의 첨가나 플라즈마 처리를 행한다. 기판을 박막화하는 수단으로서는, 기판의 다른 쪽 면에 연삭처리 또는 연마처리 등을 행함으로써 기판을 부분적으로 제거함으로써 행할 수 있다.</p> |
