| 摘要 |
L'invention décrit un procédé de formation des espaceurs d'une grille (120) d'un transistor (200) comprenant une couche active (146) surmontée par la grille ; l'invention comprenant une étape de formation (520) d'une couche poreuse (256) recouvrant la grille et présentant une constante diélectrique égale ou inférieure à celle de l'oxyde de silicium, une étape de formation (530) d'une couche de protection (152) recouvrant la couche poreuse et la grille, une étape de gravure (540) de la couche de protection réalisée de manière anisotrope de sorte à conserver des portions résiduelles (152a, 152b) de la couche de protection uniquement au niveau des flancs de la grille, une modification (550) de la couche poreuse effectuée par pénétration d'ions au sein de la couche poreuse pour former une couche modifiée (166), la modification étant réalisée de manière anisotrope et de sorte à modifier la couche poreuse sur toute son épaisseur au dessus de la grille et au-dessus de la couche active et de sorte à ne pas modifier toute l'épaisseur de la couche poreuse située sur les flancs de la grille, cette dernière étant protégée par les espaceurs de protection et constituant des espaceurs poreux (256a, 256b) pour la grille, et une étape de retrait (560) de la couche modifiée à l'aide d'une gravure, cette étape de retrait étant effectuée de manière à laisser en place les espaceurs de protection. |
