Vertikales Kompensationshalbleiterbauteil mit einer Pufferzone und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Vertikales Kompensationshalbleiterbauteil mit einer Pufferzone (1), wobei das Kompensationshalbleiterbauteil (10) von einer MOS-Struktur (4) im Bereich seiner Oberseite (8) ein Source-/Gategebiet (2) und im Bereich seiner Rückseite (9) ein Draingebiet (3) aufweist, und wobei sich von dem Source-/Gategebiet (2) aus in Richtung auf das Draingebiet (3) eine Kompensationsstruktur (5) mit Zellen aus nebeneinander angeordneten vertikalen Drift- (6) und Kompensationszonen (7) erstreckt, wobei die Kompensationszonen (7) komplementär zu den Driftzonen (6) dotiert sind, und wobei sich zwischen der Kompensationsstruktur (5) und dem Draingebiet (3) horizontal die Pufferzone (1) erstreckt, welche die gleiche Dotierung, wie die Driftzonen (6) aufweist, wobei in der Pufferzone (1) in einer Ebene mit vorbestimmtem gleich bleibendem vertikalen Abstand (v) zu den unteren Enden der Kompensationszonen (7) Speichergebiete (11) mit komplementärem Leitungstyp zu der Pufferzone (1) angeordnet sind.