| 摘要 |
Ein Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie hat eine Strahlformungsoptik (6) zur Erzeugung eines EUV-Sammel-Ausgabestrahls (7) aus einem EUV-Rohstrahl (4) einer synchrotron-strahlungsbasierten Lichtquelle (2). Eine Auskoppeloptik (8) dient zur Erzeugung mehrerer EUV-Einzel-Ausgabestrahlen (9i) aus dem EUV-Sammel-Ausgabestrahl (7). Jeweils eine Strahlführungsoptik (10) dient zur Führung des jeweiligen EUV-Einzel-Ausgabestrahls (9i) hin zu einem Objektfeld (11), in dem eine Lithographiemaske (12) anordenbar ist. Es resultiert ein Beleuchtungssystem mit einer möglichst verlustfreien und gleichzeitig flexiblen Führung von EUV-Licht einer synchrotronstrahlungsbasierten Lichtquelle. |
