发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>본 발명은 반도체 기판의 대면적화를 하나의 과제로 한다. 또는, 대면적화에 있어서 생기는 문제점을 해결하는 것을 하나의 과제로 한다. 또는, 상기 반도체 기판을 사용한 반도체 장치의 신뢰성을 향상하는 것을 과제의 하나로 한다. 반도체 기판의 대면적화를 도모하기 위해서, 베이스 기판으로서 유리 기판 등의 절연 표면을 갖는 기판을 사용한다. 그리고, 상기 베이스 기판에 대형의 반도체 기판을 사용하여 단결정 반도체층을 형성한다. 또, 베이스 기판에는 복수의 단결정 반도체층을 형성하는 것이 바람직하다. 그 후, 단결정 반도체층을, 패터닝에 의해 복수의 단결정 반도체 영역으로 잘라 나눈다. 그리고, 표면의 평탄성을 향상하고, 결함을 저감하기 위해서, 단결정 반도체 영역에 대하여 레이저 광을 조사하거나, 또는 가열 처리를 실시한다. 상기 단결정 반도체 영역의 둘레 가장자리부는 반도체 소자로서 사용하지 않고서, 중앙부를 반도체 소자로서 사용한다.</p>
申请公布号 KR101523569(B1) 申请公布日期 2015.05.28
申请号 KR20080109422 申请日期 2008.11.05
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L29/786 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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