| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Verwendung als unterhalb eines Suszeptors (6) eines CVD-Reaktors (1) angeordnete Heizeinrichtung (7), zum Aufheizen der zur Prozesskammer (4) weisenden, zu beschichtenden Substrate (5) tragenden Suszeptor-Oberseite auf eine Temperatur über 1.000°C mit den folgenden Merkmalen:–mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4);–jede Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) besitzt zwei Kontaktkelemente (13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4), um die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) an eine elektrische Stromquelle anzuschließen;–die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) bestehen aus mindestens eifern Filament (8', 8'', 8''');–die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) sind auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet.</p> |
