HALBLEITERVORRICHTUNG

摘要

Bei einer Halbleitervorrichtung, die eine eingebaute Schottky-Diode als Rückflussdiode hat, wird der maximale unipolare Strom im Rückflusszustand erhöht, und der Leckstrom wird im Ausschaltzustand verringert. Eine Schottky-Elektrode (75) ist in zumindest einem Teil der Fläche zwischen angrenzenden Wannenbereichen (30) vom zweiten Leitfähigkeitstyp vorgesehen, die auf einer Flächenschichtseite einer Driftschicht (20) vom ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet sind, und die Störstellenkonzentration vom ersten Leitfähigkeitstyp in einem ersten Bereich, der in einem unteren Teil der Schottky-Elektrode (75) vorgesehen ist und zwischen den angrenzenden Wannenbereichen (30) angeordnet ist, wird so eingestellt, dass sie höher ist als die erste Störstellenkonzentration vom ersten Leitfähigkeitstyp in der Driftschicht (20), und dass sie niedriger ist als die zweite Störstellenkonzentration vom zweiten Leitfähigkeitstyp im Wannenbereich (30).