发明名称 Halbleitergehäuse und Verfahren zur Herstellung desselben
摘要 Ein Halbleitergehäuse umfasst eine Ummantelung mit einer Unterseite und einer Oberseite und einer Lötkontaktfläche, die in der Unterseite der Ummantelung angeordnet ist. Die Lötkontaktfläche umfasst ein lötbares Durchgangsloch. Die Ummantelung umfasst eine Öffnung, die sich vom Durchgangsloch zur Oberseite der Ummantelung erstreckt.
申请公布号 DE102014117337(A1) 申请公布日期 2015.05.28
申请号 DE201410117337 申请日期 2014.11.26
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BEMMERL, THOMAS
分类号 H01L23/50;H01L21/60;H01L23/488 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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