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<p>Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltungsbauelements, umfassend: Bereitstellen eines Trägers (110); Anbringen eines Halbleiterchips (112), der eine integrierte Schaltung enthält und eine vertikale Kante aufweist, die sich senkrecht zu der oberseitigen Oberfläche des Trägers (110) erstreckt, an den Träger (110); Abscheiden einer ersten Isolationsschicht (114) auf dem Träger (110) und dem Halbleiterchip (112), wobei die erste Isolationsschicht (114) an einem ersten Ort (130) auf dem Halbleiterchip (112) und an einem zweiten Ort (132) auf einer Oberfläche des Trägers (110) verläuft; und Strukturieren der ersten Isolationsschicht (114), um einen ersten Übergangsbereich (134) zwischen dem ersten (130) und dem zweiten (132) Ort, und einen zweiten Übergangsbereich (136), der durch das Ausbilden eines Durchgangslochs (140) in der ersten Isolationsschicht (114) gebildet wird, wobei der zweite Übergangsbereich (136) eine Seitenwand des Durchgangslochs (140) ist, zu definieren, wobei das Ausbilden des ersten (134) und zweiten (136) Übergangsbereichs durch Verwendung einer Grauskalenlithographie zu einem nicht-rechten Winkel relativ zur Oberfläche des Trägers (110) an den Übergangsbereichen (134, 136) führt; Abscheiden einer leitenden Schicht (116) über der ersten Isolationsschicht (114), die die Zwischenverbindung zwischen Kontaktbereichen des Chips (112) und Abschnitten des Trägers (110) bereitstellt; und Abscheiden einer zweiten Isolationsschicht (118) über der leitenden Schicht (116).</p> |
