| 摘要 |
오목상 또는 볼록상의 기준 마크를 3 개소 이상 형성하여 이루어지고, 상기 기준 마크를 형성하는 각 선은 1 개의 교점에 있어서 교차하는 복수개의 가상선의 어느 것을 따라 배치되고, 각 가상선을 따라 적어도 1 개의 선이 배치된 EUV 마스크 블랭크를 준비하는, 기준 마크가 형성된 EUV 마스크 블랭크 준비 공정과, 레지스트막 형성 공정과, 레지스트막 상으로부터 전자선 또는 자외선을 주사해 상기 교점에 상당하는 기준 위치를 검출하는, 기준 위치 검출 공정과, 기준 마크의 선의 폭의 최대값을 W 로 하면, 레지스트막 중 평면에서 볼 때 기준 위치를 중심점으로 한 반경 1.5 W 의 원 영역을 포함하는 영역을 전자선 또는 자외선으로 노광하는, 기준 마크 중심 영역 노광 공정을 갖는, 레지스트막이 형성된 EUV 마스크 블랭크의 제조 방법. |
