| 摘要 |
<p>기판을 플라즈마 프로세싱하기 위한 장치가 제공된다. 장치는 프로세싱 챔버, 프로세싱 챔버에 배치된 기판 지지부, 및 프로세싱 챔버에 커플링된 덮개 조립체를 포함한다. 덮개 조립체는 전력 소스에 커플링된 전도성 가스 분배기를 포함한다. 튜닝 전극은, 플라즈마의 접지 경로를 조정하기 위해서, 전도성 가스 분배기와 챔버 본체 사이에 배치될 수 있다. 제 2 튜닝 전극이 기판 지지부에 커플링될 수 있고, 또한 바이어스 전극이 기판 지지부에 커플링될 수 있다.</p> |
