| 发明名称 | 一种反熔丝结构、半导体器件和硅通孔的修复方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种反熔丝结构、半导体器件和硅通孔的修复方法，涉及半导体技术领域。本发明的反熔丝结构，包括硅通孔和与所述硅通孔串联的二极管；相对于现有技术，其结构更加简单，因而有利于进一步提高半导体器件的集成度。本发明的半导体器件，使用了上述反熔丝结构，因而可以在具备可修复性的前提下实现较高的集成度。本发明实施例的硅通孔的修复方法，通过使用上述反熔丝结构进行硅通孔的修复，相对于现有技术更加简单实用。 | ||
| 申请公布号 | CN104659014A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310589538.6 | 申请日期 | 2013.11.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 甘正浩;冯军宏 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;赵礼杰 |
| 主权项 | 一种反熔丝结构，其特征在于，包括：硅通孔和与所述硅通孔串联的二极管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||