| 发明名称 | 一种刻蚀方法及基板 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀方法及基板，其中刻蚀方法包括：湿刻蚀步骤，将涂有光阻层的待刻蚀基板放入刻蚀溶液中，对待刻蚀基板中的金属层进行刻蚀，得到第一基板；反应离子刻蚀步骤，利用反应离子刻蚀工艺对第一基板中的第一绝缘层进行刻蚀，刻蚀后去除光阻层，得到第二绝缘层未被刻蚀的基板。本方法有效避免了因采用ICP刻蚀工艺而对基板造成的过刻蚀，保证了刻蚀后所得到的基板的均匀性和可靠性，使得基板的电器迁移率、电阻和电容等参数都接近于规格值。 | ||
| 申请公布号 | CN104658905A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510089744.X | 申请日期 | 2015.02.27 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 叶江波 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 朱绘;张文娟 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：湿刻蚀步骤，将涂有光阻层的待刻蚀基板放入刻蚀溶液中，对所述待刻蚀基板中的金属层进行刻蚀，得到第一基板；反应离子刻蚀步骤，利用反应离子刻蚀工艺对所述第一基板中的第一绝缘层进行刻蚀，刻蚀后去除所述光阻层，得到第二绝缘层未被刻蚀的基板。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||