半导体结构

摘要

一种半导体结构，包括具有第一导电型的基板、具有第二导电型的深阱、具有第一导电型的第一阱、具有第二导电型的第二阱、栅极、第一绝缘物以及第二绝缘物。深阱形成于基板内并由基板的表面向下扩展。第一阱与第二阱由基板的表面向下扩展并形成于深阱内，第二阱与第一阱分离。栅极形成于基板上并位于第一阱和第二阱之间。第一绝缘物由基板的表面向下扩展并形成于栅极与第二阱之间。第二绝缘物由基板的表面向下扩展并邻接于第一阱。第一绝缘物的深度与第二绝缘物的深度比小于1。

主权项

一种半导体结构，包括：基板，具有第一导电型；深阱，具有第二导电型，该深阱形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展；至少一第一阱，具有该第一导电型，该第一阱由该基板的表面向下扩展并形成于该深阱内；至少一第二阱，具有该第二导电型，该第二阱由该基板的表面向下扩展并形成于该深阱内，并与该第一阱分离；至少一栅极，形成于该基板上并位于该第一阱和该第二阱之间；至少一第一绝缘物，由该基板的表面向下扩展并形成于该栅极与该第二阱之间；以及至少一第二绝缘物，由该基板的表面向下扩展并邻接于该第一阱；其中该第一绝缘物的深度与该第二绝缘物的深度比小于1。