| 发明名称 | 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器 | ||
| 摘要 | 一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明可以进一步降低暗电流。通过使用本发明提出的npin型掺杂，基于共振隧穿二极管的近红外探测器将会得到低的暗电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104659145A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510098629.9 | 申请日期 | 2015.03.06 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||