钾掺杂菲分子晶体及其制备方法

摘要

本发明提供了一种钾掺杂菲分子晶体及其制备方法。一方面，本发明在高真空、无水无氧条件下退火，通过控制退火温度和降温速率，可以将钾原子有效地掺入到菲分子晶体层内和层间，增加了菲分子晶体c轴长度，获得很好的[001]取向生长的高质量晶体材料；第二方面，通过控制退火温度和降温速率，可以有效抑制氢化钾等杂质的生成，获得高纯度的钾掺杂菲分子晶体，提高材料的超导分数；第三方面，通过将钾原子同时掺入到菲分子晶体层内和层间，可以将菲由半导体态转化为稳定的金属态，并提高超导临界温度。

主权项

一种钾掺杂菲分子晶体，所述菲分子晶体呈层状分布，钾原子分布在菲分子层内和层间，菲分子晶体c轴长度为1.28～1.30nm。