相变存储器检测结构

摘要

本实用新型揭示了一种相变存储器检测结构。包括形成在一衬底上的第一检测部分和第二检测部分，所述第一检测部分和第二检测部分皆包括自下而上层叠的第一金属层和第二金属层、设置于所述第一金属层和第二金属层之间的第一插塞；其中，第一检测部分连接至所述衬底的一有源区；所述第一检测部分和第二检测部分皆包括测试引脚，所述测试引脚包括连接至所述有源区的第一部分和连接至所属第二金属层的第二部分，其中，第一检测部分中的第一部分还连接至所述第一金属层，所述第二检测部分中的第一部分连接至第二金属层。利用该相变存储器检测结构，能够获悉相变存储器位于不同衬底时性能参数的差异，进而分析出结构上的缺陷，有利于优化工艺。

主权项

一种相变存储器检测结构，其特征在于，包括形成在一衬底上的第一检测部分和第二检测部分，所述第一检测部分和第二检测部分皆包括自下而上层叠的第一金属层和第二金属层以及设置于所述第一金属层和第二金属层之间的第一插塞；其中，第一检测部分连接至所述衬底的一有源区；所述第一检测部分和第二检测部分还分别包括测试引脚，所述测试引脚包括连接至所述有源区的第一部分和连接至所属第二金属层的第二部分，第一检测部分中测试引脚的第一部分连接至所述第一金属层，所述第二检测部分中测试引脚的第一部分连接至所述第二金属层。