发明名称 有机发光二极管
摘要 在有机发光二极管(10)的至少一个实施形式中,其包括:第一电极(1),其借助金属形成,以及第二电极(2)。此外,有机发光二极管(10)包括有机层序列(3),其位于第一电极(1)和第二电极(2)之间。此外,有机发光二极管(10)具有辐射穿透的折射层(4),其位于第一电极(1)的背离有机层序列(3)的外侧(11)上。折射层(4)的平均折射率大于或者等于有机层序列(3)的平均折射率。由有机发光二极管(10)产生的电磁等离子辐射(P)的至少一部分穿过折射层(4)。
申请公布号 CN102449803B 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201080023423.5 申请日期 2010.05.27
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 约尔格·弗里斯赫艾森;斯特凡·诺维;沃尔夫冈·布吕廷
分类号 H01L51/52(2006.01)I 主分类号 H01L51/52(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李德山;王萍
主权项 一种有机发光二极管(10),具有:-第一电极(1),其借助金属形成,以及第二电极(2);-带有至少一个有源层(33)的有机层序列(3),其中有机层序列(3)位于第一电极(1)和第二电极(2)之间;-辐射穿透的折射层(4),其位于第一电极(1)的背离有机层序列(3)的外侧(11)上;以及-前侧(6)和后侧(5),其中后侧(5)朝向折射层(4)并且前侧(6)朝向有机层序列(3),并且在发光二极管(10)中产生的辐射(P,R,S)在前侧(6)和/或在后侧(5)发射;其中由有机发光二极管(10)产生的电磁等离子体辐射(P)的至少一部分穿过折射层(4),其中第二电极(2)借助透明导电氧化物形成,其中折射层(4)的平均折射率至少为有机层序列(3)的平均折射率的1.2倍,以及其中折射层(4)具有至少200nm的平均几何厚度(D)并且透明地和清澈地构建。
地址 德国雷根斯堡