发明名称 于一存储集成电路上进行擦除操作的方法与装置
摘要 本发明公开了一种于一存储集成电路上进行擦除操作的方法与装置,包括对一擦除操作时的擦除验证及擦除子操作的擦除群组的外侧字线及内侧字线的改善过度擦除问题及耦合效应良分组,其包括(A)多阶接触位于(i)该第一外侧选取字线与(ii)与该第一外侧选取字线相邻的该第一未选取字线之间;(B)足够的电性隔离于(i)该第一外侧选取字线之下的一第一存储元件与(ii)与该第一外侧选取字线相邻的该第一未选取字线之下的一第二存储元件之间。这些电性隔离的范例为于(i)该第一外侧选取字线之下的一第一存储元件与(ii)与该第一外侧选取字线相邻的该第一未选取字线之下的一第二存储元件之间。
申请公布号 CN102376367B 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201010250878.2 申请日期 2010.08.10
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 张逸凡;罗思觉;易成名;楚大纲;吴祝菁;廖国裕;陈耕晖;张坤龙;洪俊雄
分类号 G11C16/14(2006.01)I 主分类号 G11C16/14(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种存储装置,包含:多个存储单元;多条字线,用于存取该多个存储单元,该多条字线分割成多个擦除群组,其中响应自该多个擦除群组中选取一擦除群组的一擦除命令而接收一擦除调整偏压,其中该擦除群组包括:至少一第一外侧选取字线,用于区分(i)选取接收该擦除调整偏压的该擦除群组中的字线,自(ii)该擦除群组之外的未选取字线;其中该第一外侧选取字线与该擦除群组之外的一第一未选取字线相邻;多个第一多阶接触,其位于(i)该第一外侧选取字线与(ii)与该第一外侧选取字线相邻的该第一未选取字线之间,以及控制电路,通过自该多个擦除群组中选取接收该擦除调整偏压的该擦除群组,且施加该擦除调整偏压至该擦除群组,而响应该擦除命令。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号