发明名称 |
一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法,属于真空微电子领域,包括一块导电基板,基板上沉积有绝缘层,绝缘层上具有一层金属导电层,层面上,穿过绝缘层形成阵列圆孔型控制栅,在圆孔中心基板面上催化剂所处的位置点上生长出直立的碳纳米管/碳纤维,一直到达金属导电层上控制栅中心高度;其制作方法,按六个流程步骤顺序进行,该方法能生长出高宽比大、细高形状的碳纳米管,所构成的场发射阴极发射稳定,由于碳纳米管的化学稳定性比金属好,受工作环境影响小,同时域值电压低,而且碳纳米管的制造工艺和设备都比较简单,故生产成本可大幅度下降。 |
申请公布号 |
CN104658828A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201310599290.1 |
申请日期 |
2013.11.25 |
申请人 |
大连惟康科技有限公司 |
发明人 |
鞠洪建 |
分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极,其特征在于:包括一块作为阴极的导电基板,基板上沉积有绝缘层,在所述绝缘层上具有一层金属导电层,层面上,穿过绝缘层形成阵列圆孔型控制栅,其特征在于,在圆孔中心催化剂所处的位置点上生长出直立的碳纳米管,其生长高度可一直到达金属导电层上控制栅中心的位置。 |
地址 |
116014 辽宁省大连市西岗区北京街72号 |