发明名称 一种电活性离子液体基介孔硅修饰电极的制备方法及应用
摘要 一种电活性离子液体基介孔硅修饰电极的制备方法及应用,主要针对现有使用离子液体基介孔硅固载铁氰根离子制备电活性修饰电极,进行电化学催化过氧化氢的研究缺乏等问题,提供一种电活性离子液体基介孔硅修饰电极的制备方法及应用。该方法以离子液体修饰的介孔硅为载体,通过固载铁氰根离子,制备电活性化学修饰电极,并且采用循环伏安法及计时安培法实现了对过氧化氢浓度的催化性能测试。本发明的制备方法简单有效,且未参杂碳粉等其他组分,不仅有效实现了过氧化氢的催化还原,而且为后期研究铁氰根离子与过氧化氢之间的反应机理提供了模型。
申请公布号 CN104655697A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201510056687.5 申请日期 2015.02.04
申请人 沈阳师范大学 发明人 张玲;张谦;范运;矫淞霖;林海波;段纪东;张洪波
分类号 G01N27/30(2006.01)I 主分类号 G01N27/30(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃
主权项 一种电活性离子液体基介孔硅修饰电极的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:a、配制1.0‑2.0mg/mL的离子液体修饰化介孔硅的固体颗粒分散液和质量分数为1%‑3%的聚乙烯醇溶液;b、取步骤a中配制好的离子液体修饰化介孔硅固体颗粒分散液与上述为聚乙烯醇溶液进行混合,混合后介孔硅固体颗粒分散液浓度为0.95‑1.9mg/mL,聚乙烯醇溶液的质量分数为0.5‰‑1.5‰,混合液经漩涡混合均匀,制成滴涂液;c、滴涂电极:将步骤b中已配好的滴涂液漩涡,取5‑8μL滴涂液于玻碳电极上,隔夜干燥;d、MesoSi‑IL‑Fe(CN)<sub>6</sub><sup>3‑</sup>/PVA修饰电极的制备将步骤c中滴涂有滴涂液的玻碳电极放入至C<sub>K3Fe(CN)63‑</sub>≥1×10<sup>‑4</sup>mol/L的K<sub>3</sub>Fe(CN)<sub>6</sub><sup>3‑</sup>溶液中,并吸附至饱和,最终制得电活性离子液体基介孔硅修饰电极,即MesoSi‑IL‑Fe(CN)<sub>6</sub><sup>3‑</sup>/PVA修饰电极,使用前,将MesoSi‑IL‑Fe(CN)<sub>6</sub><sup>3‑</sup>/PVA修饰电极放入0.1M HCl溶液中在‑0.2~0.7V范围内进行连续扫描40圈以上。
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