快闪存储器及其形成方法

摘要

一种快闪存储器及其形成方法，其中快闪存储器的形成方法，包括：在第一浮栅导电层表面形成第一材料层、第二材料层、以及第三材料层，且所述第二材料层与第一材料层和第三材料层的刻蚀速率不同；在所述第三材料层和第二材料层内形成凹槽，所述凹槽暴露出第二材料层的侧壁；采用对第二材料层刻蚀速率大的第二刻蚀工艺，刻蚀去除部分宽度的第二材料层，使得第一材料层和第三材料层之间形成缺口；形成第二浮栅导电层和第三浮栅导电层，所述第三浮栅导电层填充满所述缺口，且所述第二浮栅导电层与第一浮栅导电层相接触。本发明形成的快闪存储器的浮栅导电层和控制栅导电层的重叠面积大，从而提高快闪存储器的耦合率，降低工作电压和功耗。

主权项

一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成隧穿介质层、第一浮栅导电层、第一材料层、第二材料层、以及第三材料层，且所述第二材料层的刻蚀速率与第一材料层以及第三材料层的刻蚀速率不同；采用第一刻蚀工艺，在所述第三材料层和第二材料层内形成凹槽，所述凹槽暴露出第二材料层的侧壁；采用对第二材料层刻蚀速率大且对第三材料层刻蚀速率小的第二刻蚀工艺，沿所述凹槽暴露出的第二材料层的侧壁由外向内的方向，刻蚀去除部分宽度的第二材料层，使得第一材料层和第三材料层之间形成缺口；形成第二浮栅导电层和第三浮栅导电层，所述第三浮栅导电层填充满所述缺口，所述第二浮栅导电层位于凹槽侧壁，且所述第二浮栅导电层与第一浮栅导电层相接触；采用第三刻蚀工艺，去除所述第三材料层、剩余的第二材料层、以及第一材料层；形成覆盖于所述第一浮栅导电层、第二浮栅导电层、以及第三浮栅导电层表面的栅间介质层；形成覆盖于所述栅间介质层表面的控制栅导电层。