发明名称 高压半导体功率开关器件
摘要 本发明公开了一种三端子高压达林顿双极型晶体管功率开关器件,其包括:两个高压双极型晶体管,两者的集电极连接在一起作为集电极端子,第一高压双极型晶体管的基极作为基极端子,第一高压双极型晶体管的发射极连接到第二高压双极型晶体管的基极(内部基极),并且第二高压双极型晶体管的发射极作为发射极端子;二极管,其正极连接到所述内部基极(第一高压双极型晶体管的发射极,或第二高压双极型晶体管的基极),并且其负极连接到所述基极端子。类似地,可以通过将前述的开关器件的第一高压双极型晶体管替换为高压MOSFET来形成三端子MOSFET/双极型晶体管混合高压开关器件。
申请公布号 CN104660250A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201410584966.4 申请日期 2014.10.27
申请人 科域半导体有限公司 发明人 谢潮声;陈安邦;邓志强
分类号 H03K19/0944(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I 主分类号 H03K19/0944(2006.01)I
代理机构 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人 黄威;邓玉婷
主权项 一种三端子高压达林顿双极型晶体管功率开关器件,其具有集电极端子、基极端子、发射极端子,并且包括以下组件:第一和第二高压双极型晶体管,均具有集电极、基极和发射极,并且两者的所述集电极连接在一起作为所述功率开关器件的所述集电极端子,所述第一高压双极型晶体管的基极作为所述功率开关器件的所述基极端子,所述第一高压双极型晶体管的发射极连接到所述第二高压双极型晶体管的基极,并且所述第二高压双极型晶体管的发射极作为所述功率开关器件的所述发射极端子;以及二极管,其具有正极和负极,所述正极连接到所述第一高压双极型晶体管的发射极或所述第二高压双极型晶体管的基极,并且所述负极连接到所述功率开关器件的所述基极端子。
地址 中国香港新界荃湾沙咀道52号A皇廷广场20楼2005-2006室