发明名称 |
一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法 |
摘要 |
本发明属于用电子束熔炼的技术领域,特别涉及一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法,步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料,电子束轰击硅料直到硅料全部熔化后,再调节电子束频率为5~10Hz,进行5~15min的电子束低频轰击。本发明的显著效果是电子束的低频化增强了扰动效果,提高生产效率10%以上,减少能耗1%~5%。经过5~15min的轰击熔炼,杂质氧的去除率达到88~95%;可使多晶硅铸锭底料以及单晶棒头尾料得到很好的重复利用;与不进行除氧工艺的多晶硅料相比,提高电池片的光电转换效率0.1%以上,工艺条件温和易于操作,生产周期短,技术稳定,生产效率高。 |
申请公布号 |
CN104649275A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201310596830.0 |
申请日期 |
2013.11.22 |
申请人 |
青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
发明人 |
郭校亮;王登科;姜大川;安广野;谭毅 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种电子束低频轰击去除硅料中氧的方法,步骤包括装料、抽真空、电子枪预热、电子束轰击硅料和冷却后取料,其特征在于:所述的电子束轰击硅料是:直到硅料全部熔化后,再调节电子束频率为5~10Hz,进行5~15min的电子束低频轰击。 |
地址 |
266234 山东省青岛市即墨市普东镇太阳能产业基地 |