| 发明名称 | 半导体制程方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构；以及改变该成长基板与该半导体基板的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102683280B | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201110122196.8 | 申请日期 | 2011.05.12 |
| 申请人 | 财团法人交大思源基金会 | 发明人 | 吴耀铨;王宝明;萧丰庆 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 刘红梅;颜涛 |
| 主权项 | 一种半导体制程方法，包含下列步骤：提供一成长基板；在该成长基板上形成一半导体基板；在该半导体基板与该成长基板之间形成一第一凹凸结构，该半导体基板与该成长基板之间具有一第一接合力；进行一晶圆接合流程，将该半导体基板接合至一接合基板，该半导体基板与该接合基板之间具有一第二接合力；以及接着通过在该晶圆接合流程本身的一升降温过程产生的一应力集中于该半导体基板与该成长基板之间，且因为该凹凸结构使该半导体基板与该成长基板的接合处脆弱，加上该第二接合力，致使该半导体基板受热胀冷缩而自该成长基板剥离。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市大学路1001号 | ||