| 摘要 |
<p>본 발명은, 보다 높은 이동도 및 온(on) 전류를 얻을 수 있는 미(微)결정 반도체막을 사용한 박막트랜지스터, 및 박막트랜지스터를 사용한 반도체 장치를 제공한다. 미결정 반도체막 중에서, 성막을 시작한 당초에 형성되는 결정성이 떨어진 층이 아니고, 그 후에 형성되는 결정성이 높은 층에서 채널 형성 영역이 형성되도록, 결정성이 높은 층 중에서 게이트 절연막에 가까운 층에, 일 전도형을 부여하는 불순물 원소를 포함하게 한다. 그리고, 불순물 원소를 포함하는 층을 채널 형성 영역으로서 사용한다. 또한, 소스 영역 또는 드레인 영역으로서 기능하는 불순물 원소를 포함하는 한 쌍의 반도체막과, 채널 형성 영역으로서 기능하는 불순물 원소를 포함하는 층과의 사이에, 일 전도형을 부여하는 불순물 원소를 포함하지 않는, 혹은 다른 층에 비하여 일 전도형을 부여하는 불순물 원소의 농도가 현저하게 낮은 층을 형성한다.</p> |
