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<p>실용적으로 간단한 방법으로, 양호한 3-5족 화합물 반도체와 산화층과의 계면을 형성한다. InP에 격자 정합 또는 의사 격자 정합하고, 비소를 함유하지 않는 3-5족 화합물의 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층에 접하여 형성되며, InP에 격자 정합 또는 의사 격자 정합하는 3-5족 화합물의 반도체층으로서, 상기 제1 반도체층에 대하여 선택적으로 산화가 가능한 제2 반도체층을 포함하는 반도체 기판이 제공된다. 또한, InP에 격자 정합 또는 의사 격자 정합하고, 비소를 함유하지 않는 3-5족 화합물의 제1 반도체층과, 제1 반도체층에 접하여 형성되며, InP에 격자 정합 또는 의사 격자 정합하는 3-5족 화합물의 제2 반도체층의 적어도 일부를 제1 반도체층에 대하여 선택적으로 산화하여 형성된 산화층과, 제1 반도체층에 형성되는 채널에 전계를 가하는 제어 전극을 포함하는 반도체 장치가 제공된다.</p> |
