一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法包括：S101：提供前端器件，前端器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的NMOS器件的伪栅极和栅极间隙壁；S102：在半导体衬底位于NMOS器件的栅极间隙壁两侧的部分之中形成沟槽；S103：在沟槽内形成内部具有空洞的嵌入式碳硅层。该方法通过形成具有空洞的嵌入式碳硅层，增强了对NMOS器件的沟道区域的张应力，提高了载流子迁移率。本发明的半导体器件，NMOS器件的嵌入式SiC层中形成有空洞，可以增强对NMOS器件的沟道区域的张应力，提高载流子迁移率。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供前端器件，所述前端器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的NMOS器件的伪栅极和栅极间隙壁；步骤S102：在所述半导体衬底位于所述NMOS器件的栅极间隙壁两侧的部分之中形成用于容置嵌入式碳硅层的沟槽；步骤S103：在所述沟槽内形成内部具有空洞的嵌入式碳硅层。