| 发明名称 | 一种微型钨铼薄膜热电偶温度传感器芯片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微型钨铼薄膜热电偶温度传感器芯片及其制作方法，包括碳化硅质基底以及键合在碳化硅质基底正面的薄膜热电偶，薄膜热电偶由钨铼电偶薄膜正极和钨铼电偶薄膜负极组成；钨铼电偶薄膜正极和钨铼电偶薄膜负极分别与延长性补偿线正极和延长性补偿线负极相连。本发明基于热电效应，能在高温工况下，将温度以电信号的形式输出，并通过温度与输出电压的关系，实现温度的测量。通过结构与材料的综合匹配设计，克服了以往微结构因热应力不均匀造成卷曲断裂的问题。本发明实现了大塞贝克系数材料的温度传感器，能耐高温长时间运行，并可以达到防氧化的效果，同时解决了热应力匹配的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104655306A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510077226.6 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 田边;张仲恺;郑晨;蒋庄德 |
| 分类号 | G01K7/04(2006.01)I;G01K7/10(2006.01)I | 主分类号 | G01K7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 陆万寿 |
| 主权项 | 一种微型钨铼薄膜热电偶温度传感器芯片，其特征在于：包括碳化硅质基底(1)以及键合在碳化硅质基底(1)正面的薄膜热电偶，薄膜热电偶由钨铼电偶薄膜正极(2)和钨铼电偶薄膜负极(3)组成；钨铼电偶薄膜正极(2)和钨铼电偶薄膜负极(3)分别与延长性补偿线正极(5)和延长性补偿线负极(6)相连。 | ||
| 地址 | 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 | ||