| 发明名称 | 倒装多结太阳能电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种倒装多结太阳能电池及制作方法，其中制作方法具体包括步骤：作方法，包括步骤：（1）提供一生长衬底，用于半导体材料的外延生长；（2）将所述生长衬底置于MOCVD设备中，在所述衬底上方采用MOCVD方法倒装生长第一外延结构，其具有多结子电池叠层；（3）将上述生长完成结构转移至MBE设备中，采用MBE方法在其上倒装形成第二外延结构，其至少包含一结子电池，形成串联倒装多结太阳能电池；其中第一外延结构的带隙大于第二外延结构的带隙。 | ||
| 申请公布号 | CN104659158A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510111095.9 | 申请日期 | 2015.03.16 |
| 申请人 | 天津三安光电有限公司 | 发明人 | 毕京锋;陈文浚;林桂江;李森林;刘冠洲;宋明辉;王笃祥 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 倒装多结太阳能电池的制作方法，包括步骤：（1）提供一生长衬底，用于半导体材料的外延生长；（2）将所述生长衬底置于MOCVD设备中，在所述衬底上方采用MOCVD方法倒装生长第一外延结构，其具有多结子电池叠层；（3）将上述生长完成结构转移至MBE设备中，采用MBE方法在其上倒装形成第二外延结构，其至少包含一结子电池，形成串联倒装多结太阳能电池；其中第一外延结构的带隙大于第二外延结构的带隙。 | ||
| 地址 | 300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号 | ||