发明名称 磁体表面处理方法和烧结钕铁硼磁体
摘要 本发明提供一种磁体表面处理方法和烧结钕铁硼磁体。所述磁体表面处理方法包括以下步骤:预处理;通过真空清洗轰击来活化所述磁体的表面;成膜;以及后处理。所述成膜步骤由第一步工艺和第二步工艺依次交替重复进行。所述第一步工艺是:加热蒸发金属铝,同时打开离子源,使氩离子在蒸发区与铝蒸汽接触,以便将铝原子变成铝离子,保持氩分压在小于4×10<sup>-1</sup>Pa的条件下,在所述磁体上加载不小于1000V的负偏压。所述第二步工艺是:保持氩分压在不小于5×10<sup>-1</sup>Pa的条件下,在所述磁体上加载不小于200V的负偏压。所述烧结钕铁硼磁体的表面通过所述磁体表面处理方法而形成有金属膜。
申请公布号 CN104651782A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201310576424.8 申请日期 2013.11.18
申请人 北京中科三环高技术股份有限公司 发明人 王进东;张纪功;王湛;饶晓雷;胡伯平
分类号 C23C14/32(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I 主分类号 C23C14/32(2006.01)I
代理机构 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 代理人 陈立航;郭红燕
主权项 一种磁体表面处理方法,包括以下步骤:A、预处理首先,对待处理磁体进行倒角,使其边角圆弧不小于0.2mm,接着,清除所述磁体上的油污和锈斑;B、通过真空清洗轰击来活化所述磁体的表面首先,在真空度不低于3×10<sup>‑2</sup>Pa的条件下,加热所述磁体至温度在50~120℃的范围内,接下来,充入氩气至真空度在1×10<sup>‑1</sup>~2Pa的范围内,然后,打开离子源,离化氩气产生氩离子对磁体进行清洗轰击,或者通过施加不小于200V的负偏压来进行清洗轰击,清洗轰击的时间不少于5分钟;C、成膜第一步工艺,加热蒸发金属铝,同时打开离子源,使氩离子在蒸发区与铝蒸汽接触,以便将铝原子变成铝离子,保持氩分压在小于4×10<sup>‑1</sup>Pa的条件下,在所述磁体上加载不小于1000V的负偏压,第二步工艺,保持氩分压在不小于5×10<sup>‑1</sup>Pa的条件下,在所述磁体上加载不小于200V的负偏压,所述第一步工艺和所述第二步工艺依次交替重复进行,在所述磁体形成金属膜;D、后处理对在所述磁体形成的所述金属膜进行钝化处理。
地址 100190 北京市海淀区中关村东路66号甲1号楼(长城大厦)27层