| 主权项 |
一种表面发射半导体激光器装置，包括：具有上表面和下表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的上表面上的多个半导体层，所述多个半导体层包括最上层、最下层以及在所述最上层与最下层之间的一个或多个层；形成在所述多个半导体层的一个或多个层中的边缘发射激光器，所述边缘发射激光器包括具有第一末端和第二末端的有源多量子阱MQW区域和具有第一末端和第二末端的无源区域，所述有源多量子阱MQW区域的第二末端与所述无源区域的第一末端相接，所述边缘发射激光器具有与所述有源多量子阱MQW区域的第一末端相对应的后端面和与所述无源区域的第二末端相对应的前端面，其中，如果所述边缘发射激光器被激活，则在所述有源多量子阱MQW区域中产生的激光沿着所述边缘发射激光器的与所述衬底的上表面和下表面基本平行的光轴传播经过所述有源多量子阱MQW区域，从所述有源多量子阱MQW区域的第二末端出来，进入所述无源区域的第一末端，经过所述无源区域，并且从所述边缘发射激光器的前端面出来，所述激光在从所述前端面传播出来时发散；上部反射器，布置在所述多个半导体层的最上层上或者该层附近，并且在所述边缘发射激光器的前端面上方；成角度的侧面反射器，布置在形成于所述多个半导体层的一个或多个层中的成角度的侧端面上；下部反射器，布置在所述半导体衬底的下表面上或者该表面附近；以及衍射透镜，布置在所述多个半导体层的至少最上层中，并且其中，所述边缘发射激光器、所述成角度的侧面反射器、所述上部反射器、所述下部反射器和所述衍射透镜相对于彼此的朝向被设置为使得从所述前端面传播出的激光的第一部分直接入射在所述上部反射器上并从而反射到所述成角度的侧面反射器上，并且使得从所述前端面传播出的激光的第二部分直接入射在所述成角度的侧面反射器上，其中，所述成角度的侧面反射器将所入射的激光的第一部分和第二部分反射到所述下部反射器上，并且其中，所述下部反射器反射激光的所述第一部分和所述第二部分使其经过所述衍射透镜，所述衍射透镜在与所述衬底的上表面基本垂直的方向上引导所述激光。 |
