应用双层引线框架的堆叠式功率半导体器件及其制备方法

摘要

本发明一般涉及一种倒装芯片的功率半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用倒装芯片的封装方式并应用双层引线框架的所制备的包含金属氧化物半导体场效应晶体管的堆叠式功率半导体器件及其制造方法。主要是将多个第一芯片与第一引线框架连接，同时将多个第二芯片与第二引线框架连接，并利用联接片连接第一芯片背面的电极至第一引线框架所包含的部分底层基座上，翻转第一引线框架之后与第二引线框架进行堆叠封装，再进行切割，旨在使所获得的堆叠式功率半导体器件所容纳的芯片尺寸最大或堆叠式功率半导体器件的封装体最小。

主权项

一种应用双层引线框架的堆叠式功率半导体器件，其特征在于，包括：一底层基座、一联接片及一顶层基座；以及一第一芯片及一第二芯片；其中，底层基座进一步包含第一基座及设置在第一基座附近并与第一基座分离断开的第二基座、第三基座，且第一芯片倒装连接在第一基座与第二基座上；以及所述联接片堆叠在第一芯片上，且联接片的底面与第一芯片的背面连接，联接片还包含与联接片连接并向下弯折的一第一延伸结构，该第一延伸结构延伸至第三基座的顶面并与之连接；以及所述顶层基座所包含的第五基座靠近顶层基座所包含的第四基座，第四基座、第五基座彼此分离断开，第四基座堆叠在第二芯片上，第二芯片的背面与第四基座的底面连接，且第二芯片倒装连接在联接片上；以及联接片所设置的一个缺口延展至第二芯片正面的部分电极之下，并进一步利用一键合引线将第二芯片位于缺口处的该部分电极电性连接到延伸至所述缺口上方的第五基座的底面上，所述键合引线位于该缺口中。