| 发明名称 | 用于低温ALD膜的室底涂层制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于低温ALD膜的室底涂层制备方法。本文所公开的方法和装置涉及在用于在衬底上沉积膜的反应室的内表面上的底涂层的形成和使用。底涂层通过原子层沉积方法进行沉积。所公开的底涂层有助于防止金属污染，提供了改进的抗剥落性，并且相对较薄。由于出色的抗剥落性，所公开的底涂层允许在后续清洁操作之间处理更多的衬底，从而提高了吞吐量。 | ||
| 申请公布号 | CN104651807A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201410686823.4 | 申请日期 | 2014.11.25 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 康胡;钱俊;阿德里安·拉瓦伊 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种在用于处理衬底的反应室的内表面上形成底涂层的方法，其包括：(a)将气相的第一反应物的流引入所述反应室中且允许所述第一反应物吸附到所述反应室的所述内表面上；(b)在所述第一反应物吸附到所述反应室的所述内表面上的同时将气相的第二反应物的流引入所述反应室中；以及(c)当所述第一和第二反应物中的至少一者的流已经停止时，使所述反应室暴露于等离子体，以便驱动所述反应室的所述内表面上的所述第一和第二反应物之间的反应，从而形成所述底涂层，其中所述底涂层共形地涂布所述反应室的所述内表面；其中操作(a)‑(c)在所述反应室中没有衬底存在时进行，且其中操作(a)‑(c)被重复直至所述底涂层至少约0.1μm厚。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||