| 发明名称 | 制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高k金属栅晶体管；在所述半导体衬底上形成覆盖所述高k金属栅晶体管的层间介电层；对所述层间介电层进行图案化，以形成仅露出所述半导体衬底的表面上的有源区的第一接触孔；以及采用强酸溶液进行清洗工艺。本发明提供的方法在层间介电层中仅形成露出半导体衬底的表面上的有源区的第一接触孔，并利用强酸溶液进行清洗，因此可以有效地去除掉落在器件上的金属聚集物，同时避免对金属栅极产生影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104658966A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310591094.X | 申请日期 | 2013.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有高k金属栅晶体管；b）在所述半导体衬底上形成覆盖所述高k金属栅晶体管的层间介电层；c）对所述层间介电层进行图案化，以形成仅露出所述半导体衬底的表面上的有源区的第一接触孔；以及d）采用强酸溶液进行清洗工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||