| 发明名称 | 一种新型C/Si膜的制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了：一种新型C/Si膜的制备工艺，包含以下步骤：石墨基片固定在磁控溅射的溅射腔中，靶材为碳靶，在氩气氛围中溅射碳，使其沉积在石墨基片的表面，形成新的碳层；其后，在溅射后的样品上采用热蒸发的方法真空沉积Si膜，形成C/Si薄膜，最后在退火炉中退火。 | ||
| 申请公布号 | CN104651789A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201410211969.3 | 申请日期 | 2014.05.20 |
| 申请人 | 鞠云 | 发明人 | 鞠云;樊磊 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人 | 吴无惧 |
| 主权项 | 一种新型C/Si膜的制备工艺，其特征在于：包含以下步骤：石墨基片固定在磁控溅射的溅射腔中，靶材为碳靶，在氩气氛围中溅射碳，使其沉积在石墨基片的表面，形成新的碳层；其后，在溅射后的样品上采用热蒸发的方法真空沉积Si膜，形成C/Si薄膜，最后在退火炉中退火。 | ||
| 地址 | 550025 贵州省贵阳市贵州大学北校区 | ||