半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有分立的支撑部，具有悬空于第一介质层表面的纳米线，纳米线的两端分别与相邻支撑部的侧壁连接；在纳米线表面形成伪栅极膜；采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀伪栅极膜和纳米线，直至暴露出第一介质层为止，伪栅极膜形成伪栅极层，纳米线形成由伪栅极层包围的纳米线沟道结构；采用选择性沉积工艺在纳米线沟道结构的侧壁和支撑部的侧壁之间形成纳米线源漏结构；在第一介质层、伪栅极层和纳米线源漏结构表面形成第二介质层，第二介质层的表面与伪栅极层表面齐平；之后，去除伪栅极层，并在开口内形成栅极结构。所形成的半导体器件尺寸精确、性能稳定。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有分立的支撑部，相邻支撑部之间具有沟槽，所述沟槽的底部表面具有第一介质层，所述沟槽内具有悬空于第一介质层表面的纳米线，所述纳米线的两端分别与相邻支撑部的侧壁连接，所述支撑部表面具有覆盖层；在所述覆盖层、第一介质层和纳米线表面形成填充满所述沟槽的伪栅极膜；采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀部分所述伪栅极膜和纳米线，直至暴露出第一介质层和覆盖层为止，在所述沟槽内形成伪栅极层、以及由所述伪栅极层包围的纳米线沟道结构，所述纳米线沟道结构两端的部分纳米线被刻蚀去除；采用选择性沉积工艺在所述纳米线沟道结构的侧壁和支撑部的侧壁之间形成纳米线源漏结构，所述纳米线源漏结构至少部分悬空于第一介质层表面；在所述覆盖层、第一介质层、伪栅极层和纳米线源漏结构表面形成第二介质层，所述第二介质层的表面与伪栅极层表面齐平；在形成第二介质层之后，去除伪栅极层，在第二介质层内形成暴露出第一介质层和纳米线沟道结构的开口；在所述开口内形成栅极结构，所述栅极结构包围所述纳米线沟道结构。