| 发明名称 | MOS电容以及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO<sub>2</sub>层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。 | ||
| 申请公布号 | CN104659114A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201510043980.8 | 申请日期 | 2015.01.28 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 陈喜明;李诚瞻;颜骥;赵艳黎;高云斌;史晶晶;刘国友 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/94(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;刘华联 |
| 主权项 | 一种制造MOS电容的方法，所述方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在所述SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在所述氧隔离层上设置硅层；步骤四：将所述硅层氧化成SiO<sub>2</sub>层。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||