半导体装置、芯片及修改比特数据的方法

摘要

本发明实施例公开了一种半导体装置、芯片及修改比特数据的方法，涉及芯片设计技术领域，用于增加对芯片中记录的比特数据进行修改的修改方式。本发明中的记录比特数据的芯片包括N列金属层，每一列包括M层金属层，N和M为不小于2的整数；用于记录所述比特数据的NMOS管的位线固化在N列金属层中边缘列的底层或顶层金属层中，所述NMOS管的漏端固化在另一边缘列的底层或顶层金属层中；处于同一层并且相邻的金属层处于连接或断开状态，处于同一列并且相邻的金属层之间设置有或未设置有连接层，使得所述位线与所述漏端之间存在通路或不存在通路。采用本发明，能够增加对芯片中记录的比特数据进行修改的修改方式。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，该装置具有能够实现两个节点之间多次切换连接与断开状态的结构，通过在两个节点之间多次切换连接与断开的状态，实现更改连接状态所需要更改的版图层的数目最小；该装置具体包括：N列金属层，每一列包括M层金属层，同一列中的金属层通过连接层连接；所述同一列中的金属层之间的连接层，采用交错连接方式；其中，N和M为大于2的整数；通过连接相邻列之间的同层金属层，来实现两个节点之间连接状态的更改。