湿法刻蚀硅片水覆膜装置

摘要

本实用新型公开了一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置。该装置包括：覆膜承载架，覆膜承载架设置在距刻蚀主体中的滚轮第一预设距离的位置；且覆膜承载架上设置有预设数量的朝向要刻蚀的硅片的单道支架，单道支架上设置有用于滴水到硅片上的滴水管，滴水管的出口在要刻蚀的硅片的上方第二预设距离处；水箱，水箱中盛装覆膜所需的水；滴水管和水箱的底面连接并连通水箱的内部；传感器，用于检测硅片的位置，每个传感器设置在一个单道支架的下部上；第一电磁阀，设置在滴水管的管路上，用于控制是否进行滴水；控制部件，传感器和第一电磁阀均与控制部件电连接。其通过滴水到硅片上，在硅片正面形成水保护膜，避免硅片刻蚀后出现黑色印迹现象。

主权项

一种湿法刻蚀硅片水覆膜装置，其特征在于，包括：覆膜承载架，所述覆膜承载架设置在距刻蚀主体中的滚轮第一预设距离的位置；且所述覆膜承载架上设置有预设数量的朝向要刻蚀的硅片的单道支架，所述单道支架上设置有用于滴水到硅片上的滴水管，所述滴水管的出口在要刻蚀的硅片的上方第二预设距离处；水箱，所述水箱中盛装覆膜所需的水；所述滴水管和所述水箱的底面连接并连通所述水箱的内部；传感器，用于检测硅片的位置，每个所述传感器设置在一个所述单道支架的下部上；第一电磁阀，设置在所述滴水管的管路上，用于控制是否进行滴水；以及控制部件，所述传感器和所述第一电磁阀均与所述控制部件电连接。