NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS器件，俯视面上版图结构为：相邻两个单元结构的多晶硅栅连接在一起且第一侧边通过弧形曲线连接在一起并围绕成一跑道型圈；P型体区向外部延伸到多晶硅栅底部形成沟道，位于跑道型圈的直线段外部的沟道长度大于弧形曲线段外部的沟道长度。体区引出区由多个体区引出子块组成，其中位于两侧的第一体区子块的版图覆盖了P型体区的被跑道型圈的弧形曲线段区域处，第一体区子块用于消除弧形曲线段外部的沟道使NLDMOS器件的开启电压由跑道型圈的直线段外部的沟道决定。本发明还公开了一种NLDMOS器件的制造方法。本发明能消除双峰效应。

主权项

一种NLDMOS器件，其特征在于，NLDMOS器件的单元结构包括：深N阱，形成于硅衬底上；P型体区，形成于所述深N阱中；由栅介质层和多晶硅栅叠加形成的栅极结构；由N+区组成的源区，形成于所述P型体区中，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧边自对准；由P+区组成的体区引出区，形成于所述P型体区中，正面金属层形成的源极同时和所述体区引出区和所述源区接触；所述NLDMOS器件在俯视面上版图结构为：所述P型体区、所述源区和所述体区引出区为两个相邻的所述单元结构共用，相邻两个所述单元结构的所述多晶硅栅连接在一起，且相邻两个所述单元结构的所述多晶硅栅的第一侧边通过弧形曲线连接在一起并围绕成一跑道型圈；所述P型体区通过带倾角的P型离子注入并退火形成，所述P型体区从所述跑道型圈内向外部延伸到所述多晶硅栅底部，被所述多晶硅栅所覆盖的所述P型体区表面用于形成沟道，位于所述跑道型圈的直线段外部的沟道长度大于弧形曲线段外部的沟道长度，所述体区引出区由多个体区引出子块组成，其中位于两侧的第一体区子块的版图覆盖了所述P型体区的被所述跑道型圈的弧形曲线段内部包围的部分并延伸到弧形曲线段外部；所述体区引出区通过离子注入形成，离子注入后的所述第一体区子块的P型离子扩散到所述弧形曲线段外部的所述P型体区中，所述第一体区子块用于消除所述弧形曲线段外部的沟道使所述NLDMOS器件的开启电压由所述跑道型圈的直线段外部的沟道决定。