| 发明名称 | 一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，在制作逆阻型绝缘栅型双极晶体管的过程中，采用键合工艺将第一半导体基片和第二半导体基片键合到一起，提高了键合后的半导体基片的机械强度，降低了键合后的半导体基片在制作过程中碎片的概率，进而提高了成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN104658907A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310590102.9 | 申请日期 | 2013.11.20 |
| 申请人 | 江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 | 发明人 | 张文亮;朱阳军;卢烁今;田晓丽;滕渊 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：S1、提供第一导电类型掺杂的第一半导体基片，所述第一半导体基片的背面形成有第二导电类型参杂层和多个第一隔离槽；S2、提供第二导电类型掺杂的第二半导体基片，并采用键合工艺将所述第二半导体基片的正面与所述第一半导体基片的背面键合；S3、采用表面减薄工艺将所述第一半导体基片的正面减薄，在所述第一隔离槽至所述第一半导体基片的正面之间形成第二导电类型掺杂区域，所述第二导电类型掺杂区域包围第一导电类型掺杂区域；S4、在所述第一半导体基片的正面形成正面结构，以及在所述第二半导体基片的背面形成背面结构后划片得到多个逆阻型绝缘栅型双极晶体管。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 | ||