发明名称 设计基于鳍式场效应晶体管(FINFET)的电路的方法及其实施系统
摘要 本发明提供了一种设计基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的电路的方法及其实施系统。设计基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的电路的方法,包括:使用处理器,基于性能规范设计第一电路原理图设计,第一电路原理图设计不包括人工元件,人工元件用于仿真基于FinFET的电路的电性能。该方法还包括:使用处理器,修改第一电路原理图设计内的至少一个器件以形成考虑人工元件的第二电路原理图设计。该方法还包括:使用第二电路原理图并考虑人工元件来执行布局前仿真。该方法还包括:生成布局,其中该布局不考虑人工元件;以及执行布局后仿真,布局后仿真不考虑人工元件。
申请公布号 CN104657537A 申请公布日期 2015.05.27
申请号 CN201410677448.7 申请日期 2014.11.21
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈君胜;杨尊宇;胡伟毅;管瑞丰;杨清舜;郑仪侃
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种设计基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的电路的方法,所述方法包括:使用处理器,基于性能规范设计第一电路原理图设计,所述第一电路原理图设计不包括人工元件,其中,所述人工元件用于仿真所述基于FinFET的电路的电性能;使用所述处理器,修改所述第一电路原理图设计内的至少一个器件以形成考虑所述人工元件的第二电路原理图设计;使用所述第二电路原理图并考虑所述人工元件来执行布局前仿真;生成布局,所述布局不考虑所述人工元件;以及执行布局后仿真,所述布局后仿真不考虑所述人工元件。
地址 中国台湾新竹