一种PECVD设备上的沉积基底

摘要

本实用新型公开了芯片加工领域的一种PECVD设备上的沉积基底，包括底座，所述底座的顶面覆盖有一块环形的盖片，所述盖片的中心设有一个通孔，所述通孔的形状与晶圆的形状对应，所述底座的顶面上，在与所述通孔对应的位置，形成用于晶圆基底沉积的沉积表面。本实用新型还公开了芯片加工领域的一种PECVD设备上的沉积基底用盖片，包括环形的盖片本体，以及位于所述盖片本体中心的通孔，所述通孔的形状与晶圆的形状对应。上述技术方案的效果是：其能够使得对于沉积室的维护更加方便，防止黑色沉积物在沉积基底上的生长，防止在晶圆生长过程中发生表面污染。

主权项

一种PECVD设备上的沉积基底，包括底座，其特征在于：所述底座的顶面覆盖有一块环形的盖片，所述盖片的中心设有一个通孔，所述通孔的形状与晶圆的形状对应，所述底座的顶面上，在与所述通孔对应的位置，形成用于晶圆基底沉积的沉积表面；所述盖片是铝制的；所述盖片的厚度为4～5mm；所述通孔的形状为一个圆弧长大于半圆的弓形。