宇航用耐辐照电缆的制备方法

摘要

本发明是宇航用耐辐照电缆的制备方法，该电缆为单芯有屏蔽无护套电缆；电缆采用多股镀镍铜丝绞合的导体的外围是采用聚酰亚胺材料绕包＋聚醚醚酮挤出＋聚酰亚胺绕包的复合绝缘层的外围是由采用半导电PEEK挤出的半导电层的外围是采用镀镍铜丝编织的屏蔽层；额定电压2500V。优点：额定电压达到2500V，耐高低温-100℃～+260℃，耐老化、耐冲击、抗开裂、强度高、耐弯曲、阻燃，适用于航天特殊环境，用于设备控制信号及电流传输；通过采用耐辐照材料PI和PEEK作为绝缘层，采用半导电料+镀镍圆铜线编织结构，使电缆获得耐辐照2×10⁹rad的能力和防静电放电的性能；电缆在-100℃下正常敷设安装。

主权项

宇航用耐辐照电缆的制备方法，其特征是宇航用耐辐照电缆的结构为单芯有屏蔽无护套电缆结构，单芯电缆采用多股镀镍圆铜丝绞合的导体（1），导体（1）的外围是采用聚酰亚胺PI绕包＋聚醚醚酮PEEK挤出＋聚酰亚胺PI绕包的复合绝缘层（2），绝缘层（2）的外围是采用半导电PEEK挤出的半导电层(3)；半导电层(3) 的外围是采用镀镍圆铜丝编织的屏蔽层（4）；其制备方法，包括如下工艺步骤：1）采用19根0.26mm镀镍圆铜丝绞合，经过压缩模具，获得1.23±0.03mm的绞合导体；2）采用同心式绕包机绕包0.0254mm厚度的聚酰亚胺PI带3层，搭盖率为67%～70%；3）绕包后，再采用挤出机挤出0.30mm厚度的聚醚醚酮PEEK纯料，获得聚醚醚酮PEEK层，使聚醚醚酮PEEK的耐温等级能达到260℃；4）再采用绕包机绕包0.0254mm厚度的聚酰亚胺PI带3层，绕包搭盖率处于67%～70%之间，形成聚酰亚胺PI＋聚醚醚酮PEEK＋聚酰亚胺PI的复合绝缘层；5）采用体积电阻率在10³～10⁷Ω·cm间的聚醚醚酮PEEK半导电料，用挤出机挤出0.20mm厚度的聚醚醚酮PEEK半导电料，形成半导电层，使半导电层具有防静电的效果；6）最后采用直径0.15mm镀镍圆铜线编织屏蔽，屏蔽密度不小于98%，形成成品，成品外径不大于4.2mm；所述电缆在―100℃下正常敷设安装；所述的宇航用耐辐照电缆的绝缘层（2）为聚酰亚胺PI＋聚醚醚酮PEEK＋聚酰亚胺PI的复合绝缘结构，半导电层（3）为聚醚醚酮PEEK半导电层，电缆耐高低温达‑100℃～＋260℃，耐辐照达2×10⁹rad，抗静电放电。