| 发明名称 | 半导体装置、显示装置以及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置、显示装置以及电子装置，该半导体装置包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、以及第七晶体管，其中所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的源极和漏极之一以及所述第五晶体管的栅极，其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述第四晶体管的栅极，其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极之一、所述第四晶体管的源极和漏极之一、所述第六晶体管的栅极、以及所述第七晶体管的源极和漏极之一，其中所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第六晶体管的源极和漏极之一。 | ||
| 申请公布号 | CN102737605B | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201210238516.0 | 申请日期 | 2008.03.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 三宅博之;梅崎敦司 |
| 分类号 | G09G3/36(2006.01)I;G11C19/28(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | G09G3/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、以及第七晶体管，其中所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第五晶体管的栅极，其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第六晶体管的栅极，其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第五晶体管的栅极，其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极，其中，所述第四晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极，其中所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第六晶体管的源极和漏极之一，并且其中，所述第七晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||