发明名称 |
薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法,该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘图案、栅极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及漏极。氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及通道区,且通道区位于源极区以及漏极区之间。栅绝缘图案位于氧化物半导体层的通道区上。栅极位于栅绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及漏极位于供氧层的上方,且分别电连接氧化物半导体层的源极区以漏极区。此外,包括上述薄膜晶体管的显示面板及薄膜晶体管的制造方法也被提出。 |
申请公布号 |
CN104659107A |
申请公布日期 |
2015.05.27 |
申请号 |
CN201510101338.0 |
申请日期 |
2015.03.09 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
陈佳楷;王培筠;胡晋玮;许庭毓;黄雅琴 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陈小雯 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括:氧化物半导体层,具有源极区、漏极区以及通道区,该通道区位于该源极区以及该漏极区之间;栅绝缘图案,位于该氧化物半导体层的该通道区上;栅极,位于该栅绝缘图案上;金属氧化物绝缘层,覆盖该氧化物半导体层;供氧层,与该金属氧化物绝缘层接触;以及源极以及漏极,位于该供氧层的上方,且分别电连接该氧化物半导体层的该源极区以及该漏极区。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |