| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法。所述方法包括：a）提供前端器件，所述前端器件上形成有铜层；b）对所述铜层进行刻蚀，以形成暴露所述前端器件的开口和铜互连图案；以及c）在所述开口内形成超低K介电层。根据本发明的方法避免了对超低K介电层进行刻蚀，且不需要采用CMP工艺，减小了对超低K介电层的介电常数K的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104658965A | 申请公布日期 | 2015.05.27 |
| 申请号 | CN201310591093.5 | 申请日期 | 2013.11.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张城龙;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;付伟佳 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：a）提供前端器件，所述前端器件上形成有铜层；b）对所述铜层进行刻蚀，以形成暴露所述前端器件的开口和铜互连图案；以及c）在所述开口内形成超低K介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||